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Pb/石墨烯复合薄膜的制备和超导电性
  • ISSN:3041-0673(Print)3041-0681(Online)
  • DOI:10.69979/3041-0673.26.03.023
  • 出版频率:月刊
  • 语言:中文
  • 收录数据库:ISSN:https://portal.issn.org/ 中国知网:https://scholar.cnki.net/journal/search

Pb/石墨烯复合薄膜的制备和超导电性
朱星竹1 华苗1 陈永亮2 陈全芳2

1西南交通大学物理与科学技术学院,四川成都610031

2西南交通大学电气工程学院,四川成都610031

摘要:近年来,二维材料/超导复合体系在量子器件领域展现出重要应用前景。本文采用磁控溅射技术在石墨烯与硅基底上制备了铅复合薄膜,系统研究了石墨烯与沉积参数对薄膜结构及超导电性的调控机制。测试结果表明,石墨烯基底可诱导Pb薄膜沿(111)晶向择优生长,形成晶体学一致性更高的薄膜结构;而硅基底上薄膜则呈现多晶特征。随着沉积时间增加,薄膜形貌从岛状结构向连续网络演化。电输运测量证实,石墨烯基底上薄膜具有更优的正常态导电性,但其超导转变存在宽化现象,这归因于弱连接效应。

关键词:石墨烯;Pb;磁控溅射;超导电性

参考文献

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