Cu/Gr复合薄膜的制备与场效应研究
华苗1 朱星竹1 陈永亮2 陈全芳2

1西南交通大学物理科学与技术学院，四川成都，610031；

2西南交通大学电气工程学院，四川成都，610031；

摘要：石墨烯是一种二维单层sp2杂化碳原子片，由于其优异的物理性能，如高电子导电性、良好的热稳定性和优异的机械强度，引起了人们的极大关注和研究兴趣。基于石墨烯的器件由于其优越的电气特性，是未来高速场效应晶体管(FET)的有希望的候选者，本文采用光刻＋磁控溅射的方法制备出一系列Cu/Gr复合薄膜，并对其晶体结构、微观形貌、电学性能、场效应进行表征和分析。测试结果表明，Cu随着溅射时间的增加，结晶度提高并趋于饱和。电学性能和场效应测试结果表明，结果表明Gr/Cu复合薄膜的电学性能高于纯铜，开关比（Ion/Ioff）高于单层石墨烯，且阈值电压（Vth），跨导（Gm）和开关比（Ion/Ioff）随着薄膜厚度的增加整体呈正相关后趋于稳定。

关键词：石墨烯；复合薄膜；lift off工艺；场效应

参考文献

[1]Huang, X., Yin, Z., Wu, S., Qi, X., He, Q., Zhang, Q., … Zhang, H. (2011). Graphene‐Based Materials: Synthesis, Characterization, Properties, and Applications. Small, 7(14), 1876–1902. https://doi.org/10.1002/smll.201002009

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